硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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直接键合硅片的亲水处理及其表征被引量：16
《半导体技术》1999年第5期23-25,29,共4页何进 陈星弼 杨传仁 王新 
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词：硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅 
自封闭低压硅场致发射二极管的研究
《电子学报》1996年第8期115-117,共3页秦明 黄庆安 魏同立 
国家自然科学基金;国防科技预研基金
本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详...
关键词：真空微电子学 自封闭二极管 硅片直接键合 
硅—硅键合界面的TEM观察
《电子器件》1993年第4期203-205,共3页詹娟 刘先廷 
本文主要利用电子透射显微镜观察硅片直接键合界面,在界面处存在一无定型过渡区,证实了依靠硅片表面吸附的羟基作用完成键合时,在界面会留下极薄的硅氧化物无定形区.
关键词：硅片直接键合 硅 界面 电子透射显微镜 观察 
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