横向扩散金属氧化物半导体

作品数：33被引量：42H指数：4
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千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
《现代雷达》2019年第9期76-82,共7页黄乐旭 应贤炜 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并...
关键词：硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管 
相控阵T/R组件中功放自激检测电路设计与实践被引量：3
《现代雷达》2017年第12期67-69,73,共4页葛园园 马福博 
固态相控阵雷达由于其阵面上组件弱故障率的特点,在现代雷达中大量应用。随着新型功率器件横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管和氮化镓(GaN)的广泛应用,其相对于硅(Si)双极器件容易自激的问题也日益突出,使得阵面存在极大的隐患...
关键词：固态功放 自激 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管 氮化镓(GaN) 
VHF频段宽带大功率LDMOS功放电路的设计与实现被引量：1
《现代雷达》2014年第5期88-91,共4页夏达 孙卫忠 
介绍了一种VHF频段宽带大功率LDMOS功放的设计方法,使用ADS仿真软件对其大信号模型的阻抗参数进行了提取,通过宽带巴伦匹配技术实现了匹配电路的设计。利用谐波平衡法对功放电路的增益和效率指标进行仿真,并与实物测试数据对比,验证了...
关键词：甚高频 横向扩散金属氧化物半导体 宽带巴伦 自动相关监测 
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