反向漏电流

作品数：69被引量：60H指数：5
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4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计
《微电子学》2014年第2期249-252,共4页苗志坤 陈光 左国辉 
室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压...
关键词：肖特基二极管 导通压降 击穿电压 反向漏电流 
硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响
《微电子学》1994年第2期56-60,共5页刘家璐 张廷庆 
采用静电计测量了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋Ｂ￣＋和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ二极管的反向漏电流；借助高压透射电镜观察了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋＋Ｂ“和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ剩余损伤；深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影...
关键词：离子注入 热退火 二极管 P-N结 
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