负阻

作品数:315被引量:294H指数:7
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三端电压控制型负阻器件(6)
《半导体杂志》1995年第2期34-43,共10页郭维廉 
三端电压控制型负阻器件(6)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第六章新型“∧”负阻晶体管[21]新型“∧”负阻晶体管(NewLambdaNegative-ResistanceTransistor),简称NLNR...
关键词:三端电压 控制型 负阻器件 负阻晶体管 NLNRT 
三端电压控制型负阻器件(5)
《半导体杂志》1995年第1期40-48,共9页郭维廉 
4.3 LBT 的一般设计考虑和实验与理论的比较依照以上精确模型所给出的有关公式,LBT 的一般设计程序如下。在直流设计方面主要考虑三个特性参数,即:V_P,I_P,和 V_V,对于一给定的双极工艺,参数 I_S,β_(FM),β_(RM)和 N_A 为已知的,再加...
关键词:三端电压 控制型负阻器件 负阻器件 双极晶体管 
三端电压控制型负阻器件(4)被引量:3
《半导体杂志》1994年第4期28-35,共8页郭维廉 
三端电压控制型负阻器件(4)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第四章“∧”双极晶体管[13,14]“∧”双极晶体管(LambdaBipolarTransistor),简称LBT。是以一n沟增强型MOS管作为反馈...
关键词:双极晶体管 负阻器件 晶体管 
三端电压控制型负阻器件(3)被引量:1
《半导体杂志》1994年第3期30-43,共14页郭维廉 
三端电压控制型负阻器件(3)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第三章双基区晶体管[8]双基区晶体管(Dual-BaseTransistor),简称DUBAT。一般情况下它是以一横向pup双极管作为反馈器件,将其...
关键词:电压控制型 负阻器件 双基区晶体管 
三端电压控制型负阻器件(2)被引量:2
《半导体杂志》1994年第2期42-47,共6页郭维廉 
三端电压控制型负阻器件(2)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第二章表面控制负阻晶体管(NEGIT)[5]表面控制负阻晶体管(Surface-ControlledNesativeImpedandeTransis...
关键词:负阻器件 控制型 三端电压 
三端电压控制型负阻器件(1)被引量:2
《半导体杂志》1994年第1期42-45,共4页郭维廉 
三端电压控制型负阻器件(1)郭维廉(天津大学电子工程系300072)负阻器件从1952年埃伯斯(J.J.Ebers)[1]提出和1956年摩尔(J.L.MOMi)等[2]研制出晶闸管和1958年江崎[3]发现隧道二极...
关键词:负阻器件 三端电压 控制型 
一种具有双负阻特性的三端负阻器件—双基区晶体管(DUBAT)
《半导体杂志》1992年第2期1-10,共10页王合利 郭维廉 
关键词:晶体管 双基区 三端负阻器件 
栅控晶体管的负阻特性
《半导体杂志》1991年第3期1-6,15,共7页郭维廉 
关键词:栅控晶体管 负阻特性 晶体管 
三端电压控制型负阻器件及其发展前景
《半导体杂志》1990年第4期39-47,共9页郭维廉 
关键词:半导体 负阻器件 三端电压 控制型 
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