高亮度发光二极管

作品数：133被引量：141H指数：5
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高亮度发光二极管多层结构外延片电化学C-V测试分析
《量子电子学报》2004年第4期542-544,共3页孙慧卿 范广涵 刘颂豪 
广东省重点科技攻关项目(国家部分)"超高亮度发光二极管和面发光半导体激光器的研制"资助(2000-D068)
本文介绍了利用ECV的方法测试分析双异质结多层结构外延片方法,在测试厚度、掺杂浓度、导 电类型等材料的结构参数过程中,解决了外延片参数不稳定时的测试方法。
关键词：光电子学 ECV 肖特基结 微分电容 电解液 
渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术
《量子电子学报》2003年第6期689-698,共10页刘鲁 范广涵 廖常俊 
广州市科技重点计划资金(1999-z-035-01)
本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能。讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.
关键词：渐变异质结 HB-LED器件 高亮度发光二极管 双层突变拟合 镓铝铟磷 
高亮度发光二极管外量子效率的计算被引量：2
《量子电子学报》2002年第1期65-69,共5页邓云龙 廖常俊 刘颂豪 范广涵 文尚胜 
2000年国家科技攻关项目;编号为:00-068;广州市科技重点攻关项目;编号为:1999-Z-035-01
本文对典型结构高亮度发光二极管（ＨＢ－ＬＥＤ）的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析，结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展，而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出，因此引入较厚...
关键词：外量子效率 电流密度分布 亮度 发光二极管 
调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响
《量子电子学报》2001年第3期278-280,共3页文尚胜 范广涵 廖常俊 刘颂豪 
根据电化学 Ｃ－Ｖ测量 ＡｌＧａＩｎＰ外延片获得的载流子浓度深度分布数据，以及其 ＬＥＤ外延片封装后的工作电压，计算了其中Ｂ＋－Ｎ与Ｐ＋－Ｐ两种同型结的接触电势差，指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响ＬＥＤ工作电压的...
关键词：调制掺杂 同型结 接触电势差 高亮度发光二极管 工作电压 
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