雪崩光电二极管

作品数：404被引量：890H指数：15
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50 Gbit/s PON高性能接收技术的研究
《光通信研究》2024年第1期72-77,共6页张蕾 高建河 黄莎 张玉安 罗勇 徐红春 
国家重点研发计划资助项目(2019YFB1803802)。
【目的】为了应对不断增长的超千兆需求,从千兆走向万兆,从第五代固定网络(F5G)走向高级第五代固定网络(F5.5G),50 Gbit/s无源光网络(PON)被认为是F5.5G的重要组成部分。故文章针对当前接入网络发展状况,对50 Gbit/s PON技术进行了深入...
关键词：50 Gbit/s无源光网络 雪崩光电二极管 光数字信号处理 跨阻放大器 高性能接收 
1 km 2.5 Gbit/s双向激光网桥视频通信
《光通信研究》2021年第4期32-35,55,共5页张羽桐 赵江南 艾勇 梁赫西 胡仁杰 
2020武汉市企业技术创新资助项目(2020010602012047)。
针对远距离的激光接收对准问题,文章提出利用大面积雪崩光电二极管的激光网桥系统,用作广域网的延长以及局域网之间的连接。激光网桥系统的软件需要一台计算机作为服务器进行信息处理,硬件连接是经过交换机及电光转换,通过放置在两幢楼...
关键词：激光 网桥 广域网延长 大面积雪崩光电二极管 
基于10Gbit/s器件的40Gbit/s IM/DD-OFDM 40km单模光纤传输被引量：1
《光通信研究》2014年第6期29-31,共3页王健 杨超 胡明耀 
随着通信技术的快速发展,如何在有限的带宽下实现信息的低成本、大容量的传输引起了人们的广泛关注。文章描述了在40km单模光纤上采用IM/DD(强度调制/直接检测)和OFDM(正交频分复用)技术的40Gbit/s光传输系统的设计,实验中使用的是10Gbi...
关键词：正交频分复用 电吸收调制激光器 雪崩光电二极管 MATLAB软件 VPI软件 
10Gbit/sAPD/TIA探测器组件的设计被引量：2
《光通信研究》2009年第4期50-52,63,共4页胡靖 杨现文 李世瑜 李林科 徐红春 
雪崩光电二极管(APD)光电探测器由于在灵敏度上的优势,在长距离高速数字通信系统中得到了广泛的应用。文章系统地描述了高速APD/TIA(跨阻抗放大器)探测器组件的光学与微波封装的设计要点,对完成封装后的10 Gbit/s APD/TIA探测器组件进...
关键词：雪崩光电二极管 APD/TIA探测器组件 10GBIT/S -3dB带宽 灵敏度 
四象限InGaAs APD探测器的研究
《光通信研究》2007年第6期43-46,共4页王致远 李发明 刘方楠 
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构...
关键词：InGaAs雪崩光电二极管 吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管 光谱响应范围 响应度 暗电流 
光纤传感系统中APD增益温漂的动态补偿研究被引量：7
《光通信研究》2007年第3期66-70,共5页魏康林 高小新 
为实现对雪崩光电二极管(APD)增益温漂的动态偏压补偿,设计了高精度的ADC和DAC电路系统,对APD可以达到毫伏级的偏压控制精度和0.2℃的温度采样精度。依托光纤传感系统并运用数据采集与处理技术获得了在APD增益比较稳定的条件下其偏压与...
关键词：雪崩光电二极管 温漂 动态补偿 瑞利曲线 
多层梯度层InGaAs（P）／InP　SAGM雪崩光电二极管
《光通信研究》1994年第3期9-15,19,共8页李平 汤群慧 许秀祚 
本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术...
关键词：雪崩二极管 光电二极管 SAGM 
长波长InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管最佳工作特性
《光通信研究》1990年第2期47-52,共6页李平 
本文结合研制的InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管,讨论了SAGM-APD的技术界线和最佳工作特性。
关键词：雪崩 光电二极管 INGAAS/INP SAGM 
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