雪崩光电探测器

作品数：47被引量：96H指数：5
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无电荷层InGaAs/Si雪崩光电探测器的优化设计被引量：2
《光学学报》2024年第5期19-28,共10页张娟 姚儿 柯少颖 
目前,在近红外波段中普遍采用InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD),但这类APD存在增益带宽积小和等效噪声高等问题,而InGaAs/Si APD采用电子、空穴离化系数极低的Si材料作为倍增层,在一定程度解决了上述问题,但其制造过程涉及Si电荷层的离子...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 增益带宽积 电荷层 凹槽环 
In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响被引量：2
《光学学报》2023年第4期1-8,共8页叶伟 杜鹏飞 权贝贝 李梦飞 萧生 刘佳 
陕西省自然科学基础研究计划(2018JQ5138);陕西省教育厅专项科学研究计划(20JZ029)。
倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电...
关键词：探测器 雪崩光电探测器 倍增层 电场分布 穿通电压 击穿电压 
Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计被引量：2
《光学学报》1996年第6期839-843,共5页李国正 张浩 
对GexSi(1-x)／Si应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计。优化结构为：i-Si雪崩区厚是1．8～2μm；p-Si区的掺杂浓度是1018cm－3，厚为17nm；超晶格总厚为340um。它可探测1．3～1．6μm的红外光。
关键词：应变超晶格 雪崩 光电探测器 锗硅/硅 
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