雪崩光电探测器

作品数：47被引量：96H指数：5
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相关作者：江灏杨晓红李健张明江张建忠更多>>
相关机构：中国科学院南京大学中山大学武汉光谷信息光电子创新中心有限公司更多>>
相关期刊：《光学学报》《红外与激光工程》《激光与红外》《通信世界》更多>>
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In_(0.83)Al_(0.17)As倍增层对In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的特性影响被引量：2
《光学学报》2023年第4期1-8,共8页叶伟 杜鹏飞 权贝贝 李梦飞 萧生 刘佳 
陕西省自然科学基础研究计划(2018JQ5138);陕西省教育厅专项科学研究计划(20JZ029)。
倍增层对雪崩光电探测器内部载流子的碰撞电离至关重要,因此,采用三元化合物In_(0.83)Al_(0.17)As作为倍增层材料,借助器件仿真工具Silvaco-TCAD,详细探究了In_(0.83)Ga_(0.17)As/GaAs雪崩光电探测器的倍增层厚度及掺杂浓度对其内部电...
关键词：探测器 雪崩光电探测器 倍增层 电场分布 穿通电压 击穿电压 
硅基雪崩光电探测器倍增层掺杂的研究被引量：2
《半导体光电》2014年第6期973-976,共4页崔文凯 武华 马云飞 周弘毅 郭霞 
国家自然科学基金项目(61222501;61335004);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20111103110019)
硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱响应度等特性的影响。在硼的注入剂量由5.0×1012 cm-2减小为2.5×1012cm-2时,倍增层内电场强度逐渐降低...
关键词：SI APD 拉通 雪崩击穿电压 光谱响应 
4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
《量子电子学报》2011年第6期742-747,共6页钟林瑛 洪荣墩 林伯金 蔡加法 陈厦平 吴正云 
福建省自然科学基金项目(2009J05151)资助
应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3...
关键词：光电子学 4H—SiC APD 光谱响应 探测率 
吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第2期284-288,共5页朱会丽 陈厦平 吴正云 
设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiplejunctionter mination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光...
关键词：4H-SIC 紫外光 雪崩光电探测器 吸收层 倍增层分离 
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