雪崩击穿

作品数：48被引量：94H指数：4
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基极触发的雪崩晶体管导通机理被引量：1
《半导体技术》2024年第5期432-441,共10页王欢 乔汉青 程骏 胡龙 李昕 王翔宇 方旭 
为研究基极触发的雪崩晶体管导通机理,建立了雪崩晶体管(n+⁃p⁃n⁃n+掺杂结构)的准三维器件模型和实验测试电路。研究了雪崩晶体管的温度分布特征,导通结束后器件最高温度约为417 K,位于电流通道内n⁃n+边界处。当集电极电压为300 V、基极...
关键词：雪崩晶体管 超宽带(UWB)脉冲 雪崩击穿 碰撞电离 物理参数模型 
具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT被引量：1
《半导体技术》2021年第9期694-700,共7页陈飞 冯全源 
国家自然科学基金重大项目(62090012);国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028)。
为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN(i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构。新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 高场区 雪崩击穿 击穿电压 二维电子气(2DEG) 
雪崩击穿特性的高压硅二极管
《半导体技术》1997年第5期35-37,共3页项兴荣 
叙述了具有雪崩击穿特性的高压二极管的设计及一次全扩散工艺概况以及实际应用的效果。
关键词：高压二极管 雪崩击穿 一次全扩散 
硅PiN管的雪崩击穿的修正被引量：1
《半导体技术》1990年第6期35-37,共3页方龙森 
硅PiN结构在工业产品中有多种应用,是多种二极管的基本结构。本文分析了该结构的雪崩击穿特性,推导得到一个适合于PiN结构的突变结雪崩击穿电压公式。该解析式能估算器件杂质分布为单边突变结、双边突变结和PiN结构的雪崩击穿电压,修正...
关键词：硅PiN管 雪崩击穿 二极管 
稳压管动态电阻的研究被引量：2
《半导体技术》1990年第1期62-64,共3页周学顺 戴古章 
本文介绍了雪崩击穿硅稳压二极管动阻公式的推导方法,用数学公式来描述动阻R_2与浓度梯度d等参数之间的关系,指出了减小动阻的方法与途径,对稳压二极管的设计与生产具有实际的指导作用。
关键词：稳压管 动态电阻 稳压二极管 雪崩击穿 
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