雪崩击穿

作品数：48被引量：94H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波李泽宏任敏张金平高巍更多>>
相关机构：电子科技大学杭州谱析光晶半导体科技有限公司南京邮电大学中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)更多>>
相关期刊：《无线电》《半导体杂志》《农业装备与车辆工程》《科技视界》更多>>
相关基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金创新研究群体科学基金中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
各向异性6H-SiC MOSFET击穿的温度特性被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第1期47-51,共5页刘莉 杨银堂 柴常春 
科技基金 (4 13 0 80 60 2 0 2 );教育部跨世纪人才培养基金资助
分析了不同晶面上温度对 6H-Si C MOSFET击穿特性的影响。以 Si面为例 ,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响。根据 6H-Si C各向异性的特性 ,采用张量扩展将其扩展到 C面 ,研究表明虽然在不同的晶面上器件...
关键词：6H-SiCMOSFET 温度 雪崩击穿 各向异性 
三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》1987年第2期164-169,共6页程元生 朱坤宝 夏瑞明 孙毅之 
本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型,理论和实验结果吻合。
关键词：硅外延 耗尽层 雪崩击穿 接触模型 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部