边界层电容器

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SiC边界层陶瓷电容器的研制
《稀有金属材料与工程》2007年第A01期442-444,共3页秦丹丹 乔建房 邵刚 王海龙 许红亮 卢红霞 张锐 
选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析。结果发现:1300℃为最佳烧结温...
关键词：SIC 边界层电容器 介电常数 介质损耗 
一次烧成SiC边界层陶瓷电容器性能研究
《电子元件与材料》2003年第9期9-10,14,共3页王海龙 张锐 付元忠 王西科 
选用导热性能优良、半导化的(-SiC作为边界层电容器基体材料,利用氧化铝、滑石、粘土和长石组成的低共熔混合物作为晶界绝缘材料,通过常压一次烧结工艺制备边界层陶瓷电容器.烧成温度范围为1 280~1 320℃,最高温度下保温4 h.获得的边界...
关键词：碳化硅 边界层电容器 介电常数 一次烧成 
半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计
《科学通报》1995年第2期187-189,共3页郑振华 陈羽 缪容之 
浙江省教育委员会资助项目
半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电...
关键词：半导体陶瓷 边界层电容器 电容器 物理性能 
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