N^+离子注入

作品数：70被引量：309H指数：11
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Mn^+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第12期1276-1279,共4页李杰 张荣 修向前 卢佃清 俞慧强 顾书林 沈波 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 0 683 0 5 ) ;国家高技术研究发展规划 (No.2 0 0 1AA3 11110 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :699760 14 ;60 13 60 2 0 ;699870 0 1);国家杰出青年基金 (No.60 0 2 5 411)资助项目~~
利用离子注入法将磁性离子 Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的 Ga N薄膜中 ,获得了稀磁半导体 (Ga,Mn) N.光致发光谱结果显示由于 Mn的注入 ,使 Ga N中常见的黄带发射被大大抑制 .在反射和吸收光谱中 ,观察到锰引入的新吸收带 ...
关键词：稀磁半导体 DMS GAN薄膜 Mn+ 铁磁性 居里转变温度 离子注入 光学性质 光致发光谱 
Mn^+离子注入GaAs的铁磁性质和结构被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第9期872-876,共5页蔡明 陈辰嘉 王学忠 许世发 丁晓民 张铭 孙允希 
国家自然科学基金资助课题 !(编号 :1 9874 0 0 5)&&
报道 Mn+ 离子注入 ( 0 0 1 ) Ga As后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性 .磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性 .用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成 Mn Ga晶粒外 ,还有含少量 Ga的 Mn As晶粒 .原...
关键词：铁磁性 离子注入 Mn^+ 砷化镓 
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