NMOS

作品数：212被引量：190H指数：6
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深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟被引量：2
《电子技术应用》2019年第12期59-61,66,共4页薛海卫 张猛华 杨光安 
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量...
关键词：瞬时剂量率效应 三维数值模拟 深亚微米SOI H型NMOS 
45V输入200mA LDO提供有源输出放电
《电子技术应用》2014年第7期4-4,共1页
2014年6月17日，凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出具备有源输出放电功能的高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3063。该IC提供高达200mA的连续输出电流，在满负载时具备300mV压差电压。LT3063包含一个内部NMOS下拉...
关键词：放电功能 输出电流 输入电压 有源 LDO 线性稳压器 成像传感器 NMOS 
超大规模集成电路设计基础 第九讲 NMOS芯片设计实例——零中频QPSK解调器
《电子技术应用》1991年第9期36-40,共5页刘以暠 冯世琴 
自世界上第一块集成电路问世以来,微电子学技术便以迅猛异常的速度向前发展。小规模中规模到大规模集成电路的发展不到10年,而大规模到超大规模集成电路的发展也不到10年,现在已发展到巨型规模集成电路。目前集成电路技术的发展已日臻完...
关键词：集成电路 设计 解调器 NMOS 芯片 
超大规模集成电路设计基础 第七讲 NMOS超大规模集成电路芯片设计技术
《电子技术应用》1991年第7期35-38,共4页刘以暠 冯世琴 
7.1 参数分析在第一讲已经谈到,超大规模集成电路可以是系统集成,即一个具有独立功能的完整的电路系统被设计、制造在一块芯片上,故又称作集成系统。平均门延迟功耗积Kg=(?)gPg 是表征集成系统性能的综合性指标。
关键词：VLSI 集成电路 芯片 设计 NMOS 
超大规模集成电路设计基础 第四讲 NMOS VLSI基本单元电路
《电子技术应用》1991年第4期37-43,共7页刘以暠 冯世琴 
4.1 非门非门即反相器,是逻辑系统中最基本的单元。逻辑单元电路结构设计主要考虑的是小时延,小面积,低功耗。而这三个因素又是相互制约的,设计时应根据实际情况,综合考虑,折衷选择。对非门的设计,从时延上看。
关键词：VLSI 集成电路 设计 NMOS 单元电路 
超大规模集成电路设计基础：第三讲 NMOS VLSI的结构特性
《电子技术应用》1991年第3期37-40,共4页刘以皓 冯世琴 
<正> 3.1 NMOS VLSI拓扑结构NMOS集成电路是多层布线的三维立体结构,整个电路完全由各层特定宽度的线条构成。一条扩散层线条与一条多晶层线条相交叉,即形成一MOS 管。故电路中的连接线占芯片结构的绝大部分面积。因此VLSI芯片设计中,...
关键词：VLSI NMOS 集成电路 设计 
超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础
《电子技术应用》1991年第2期37-40,共4页刘以暠 冯世琴 
2.1 增强型与耗尽型NMOS晶体管NMOS集成电路中最小单元是两种场效应晶体管,即增强型和耗尽型NMOS场效应管,分别简称为NMOS(E)和NMOS(D),其符号和结构如图2.1所示。
关键词：VLSI MOS 集成电路 超大规模 
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