NMOS

作品数：211被引量：189H指数：6
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New Method of Total Ionizing Dose Compact Modeling in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs被引量：4
《Chinese Physics Letters》2016年第9期82-85,共4页黄建强 何伟伟 陈静 罗杰馨 吕凯 柴展 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61404151 and 61574153
On the basis of a detailed discussion of the development of total ionizing dose （TID） effect model, a new commercial-model-independent TID modeling approach for partially depleted silicon-on-insulator metal-oxide- s...
关键词：of New Method of Total Ionizing Dose Compact Modeling in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs for SOI TID in is IO NMOS on 
Remote charge scattering:a full Coulomb interaction approach and its impact on silicon nMOS FinFETs with HfO_2 gate dielectric
《Science China(Information Sciences)》2014年第2期201-209,共9页WEI KangLiang EGLEY James LIU XiaoYan DU Gang 
supported by National Key Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00604)
Remote charge scattering （RCS） has become a serious obstacle inhabiting the performance of ultra- thin gate oxide MOSFETs. In this paper, we evaluate the impact of RCS by treating the real-space full Coulomb interac...
关键词：carrier transport full Coulomb interaction gate dielectric high-t% Monte Carlo （MC） FinFET remote charge scattering （RCS） 
0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究
《科学技术与工程》2013年第21期6200-6202,6224,共4页邱恒功 李洛宇 裴国旭 杜明 
为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入...
关键词：SOI NMOS 电荷积累 单粒子翻转 
一种应用于光谱测量的高性能光电NMOS阵列探测器的驱动与采集被引量：2
《长春理工大学学报（自然科学版）》2009年第1期77-81,59,共6页张熙康 郑志忠 修连存 段红梅 
中国地质调查局地质调查工作项目(1212011560704)
介绍光电NMOS阵列探测器S3901-1024在光谱测量应用中的特点,详细分析了探测器的结构,对器件的驱动进行了分析和设计,采用了CPLD技术,设计的时序信号满足了器件的驱动逻辑,并给出仿真和实测波形。采用高速的14位AD对模拟量进行数字化转换...
关键词：光谱仪 S3901-1024 AD转换 CPLD USB2.0块传输 
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