N型GAN

作品数：19被引量：31H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张国义秦志新张利民张小东赵旺更多>>
相关机构：中国科学院北京大学兰州大学三菱化学株式会社更多>>
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n型GaN欧姆接触的研究进展被引量：1
《红外》2009年第8期1-8,共8页王忆锋 唐利斌 
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究。其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题...
关键词：GAN 欧姆接触 紫外光子探测器 发光二极管 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管 
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