N型GAN

作品数：19被引量：31H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张国义秦志新张利民张小东赵旺更多>>
相关机构：中国科学院北京大学兰州大学三菱化学株式会社更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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重掺杂n型GaN材料特性研究被引量：1
《半导体光电》2016年第4期499-504,共6页张云龙 韩军 邢艳辉 郭立建 王凯 于保宁 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018)
采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH_4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH_4流量为20cm^3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×10^(19) cm^(-3),同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入...
关键词：MOCVD 重掺杂n型GaN 光电特性 缺陷选择性腐蚀 
两种不同结构n型GaN基肖特基二极管电学特性
《半导体光电》2010年第2期213-216,共4页于国浩 付凯 陆敏 苑进社 
国家自然科学基金项目(10875084);江苏省自然科学基金项目(BK2008174);苏州应用基础研究计划项目(SYJG0915);国家重点基础研究专项经费项目(G2009CB929300)
实验研究了两种由ICP刻蚀不同结构的n型GaN材料与金属接触形成的肖特基二极管的I-V特性,分析计算了GaN基肖特基二极管的势垒高度和理想因子。研究发现n型GaN半导体材料表面费米能级钉扎,且费米能级的钉扎对n型GaN材料表面的金半接触所...
关键词：n型GaN薄膜 肖特基二极管 伏安特性 
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