云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- P沟道

P沟道: 作品数：139被引量：24H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃罗谦罗波廖红刘桥更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院美商新思科技有限公司更多>>; 相关期刊：《无线电》《微电子学》《中国集成电路》《家电维修》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国防科技工业技术基础科研项目国家重点基础研究发展计划更多>>

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p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第2期179-184,共6页杨红官施毅闾锦濮林沈波张荣郑有炓; 国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB3 0 9);国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 1;60 2 3 60 10 )资助项目~~; 采用巴丁 (Bardeen)传输哈密顿方法 ,数值计算了 p沟道锗 /硅异质纳米结构存储器的时间特性 .由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用 ,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储 ,具有优异的存储特性 .以 2× 2逻辑...; 关键词：锗/硅异质纳米结构存储器空穴隧穿数值模拟