RAMAN谱

作品数：78被引量：130H指数：7
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r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1562-1567,共6页颜建锋 张洁 郭丽伟 朱学亮 彭铭曾 贾海强 陈弘 周均铭 
国家自然科学基金(批准号:10474126;10574148);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A107;2006AA03A106);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311900)资助项目~~
采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Ra...
关键词：GaN 非极性 X射线衍射 RAMAN谱 残余应力 
Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响
《Journal of Semiconductors》2000年第8期760-764,共5页李代宗 成步文 黄昌俊 王红杰 于卓 张春晖 余金中 王启明 
国家自然科学基金资助项目!编号 6974 60 0 1 ;698962 60 -0 6和 697870 0 4
应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex...
关键词：缓冲层 Raman散射谱 应力弛豫 锗化硅 
对氢化非晶硅薄膜Raman谱TA模的观测
《Journal of Semiconductors》1991年第9期542-545,共4页何宇亮 程光煦 
国家自然科学基金
对a-Si:H及μC-Si:H膜的Raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分...
关键词：氢化 非晶硅 薄膜 RAMAN谱 TA膜 
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