颜建锋

作品数：6被引量：25H指数：4
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：氧化锌薄膜分子束生长温度分子束外延生长蓝宝石衬底更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》《激光与红外》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程中国科学院“百人计划”更多>>
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r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1562-1567,共6页颜建锋 张洁 郭丽伟 朱学亮 彭铭曾 贾海强 陈弘 周均铭 
国家自然科学基金(批准号:10474126;10574148);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A107;2006AA03A106);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311900)资助项目~~
采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Ra...
关键词：GaN 非极性 X射线衍射 RAMAN谱 残余应力 
AlN外延薄膜的生长和特征
《激光与红外》2007年第B09期974-976,共3页张洁 彭铭曾 朱学亮 颜建锋 郭丽伟 贾海强 陈弘 周均铭 
文章研究了A lN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与A lN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长A lN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的A lN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出A lN薄膜的(002)和(105...
关键词：ALN MOCVD 表面形貌 光学吸收 
利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2004年第2期103-106,共4页颜建锋 梁红伟 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 
国家"8 63"高技术 .新材料领域 (2 0 0 1AA3 1112 );国家自然科学重点基金(60 3 3 60 2 0 );国家自然科学基金资助项目(60 1760 0 3;60 2 780 31;60 3 760 0 9);中国科学院二期创新资助项目
在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,...
关键词：氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延法 光致发光 半导体材料 X射线衍射分析 
分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜被引量：6
《发光学报》2004年第4期460-462,共3页矫淑杰 梁红伟 吕有明 申德振 颜建锋 张振中 张吉英 范希武 
国家自然科学重点基金 ( 60 3 3 60 2 0 ) ;国家"863"高技术项目 ;新材料领域 ( 2 0 0 1AA3 1112 0 ) ;中国科学院二期创新项目;国家自然科学基金 ( 60 1760 0 3 ;60 2 780 3 1;60 3 760 0 9)资助项目
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0...
关键词：氧化锌薄膜 P型掺杂 一氧化氮 射频等离子体 分了束外延 
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