张洁

作品数：3被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：MOCVD半导体薄膜ALN光学吸收光学性质更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《激光与红外》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1562-1567,共6页颜建锋 张洁 郭丽伟 朱学亮 彭铭曾 贾海强 陈弘 周均铭 
国家自然科学基金(批准号:10474126;10574148);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A107;2006AA03A106);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311900)资助项目~~
采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Ra...
关键词：GaN 非极性 X射线衍射 RAMAN谱 残余应力 
AlN外延薄膜的生长和特征
《激光与红外》2007年第B09期974-976,共3页张洁 彭铭曾 朱学亮 颜建锋 郭丽伟 贾海强 陈弘 周均铭 
文章研究了A lN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与A lN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长A lN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的A lN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出A lN薄膜的(002)和(105...
关键词：ALN MOCVD 表面形貌 光学吸收 
n型Al_xGa_(1-x)N材料的电学和光学性质
《激光与红外》2006年第11期1057-1059,共3页彭铭曾 张洁 朱学亮 郭丽伟 贾海强 陈弘 周均铭 
文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导...
关键词：n型AlxGa1-xN MOCVD 导电性 光学吸收 
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