SI单晶

作品数：29被引量：24H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：索开南张殿朝闫萍陈燕生林兰英更多>>
相关机构：中国科学院北京大学中国电子科技集团公司第四十六研究所北京科技大学更多>>
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NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用
《稀有金属》1995年第3期231-234,230,共5页陈燕生 刘桂荣 王培清 陈炳贤 张文成 郑慧秀 解俊东 
ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键...
关键词：硅 单晶 热处理 微缺陷 功率器件 
区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响被引量：1
《稀有金属》1990年第1期29-31,59,共4页陈燕生 李秋生 王丛华 陈炳贤 高秀清 
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈...
关键词：单晶 退火 区熔工艺 中照条件 
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