SOI衬底

作品数：20被引量：17H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘强俞文杰郝跃张鹤鸣宣荣喜更多>>
相关机构：中国科学院株式会社半导体能源研究所西安电子科技大学国际商业机器公司更多>>
相关期刊：《微电子学》《电子元件与材料》《中国集成电路》《功能材料》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于SOI衬底的射频电感优化设计被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第6期702-706,共5页赵冬燕 张国艳 黄如 
国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA1E15 90 )及;国家自然科学基金 (批准号 :60 3 0 60 0 5 )资助项目~~
比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较...
关键词：SOI衬底 电感量 品质因数 自谐振频率 
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1099-1102,共4页章宁琳 宋志棠 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (Nos .G2 0 0 0 0 36 5 ;0 0 1CB6 10 40 8)~~
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空...
关键词：超高真空电子束蒸发法 全耗尽SOI MOSFET 高K栅介质 ZRO2 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部