SOI衬底

作品数：20被引量：17H指数：3
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相关作者：刘强俞文杰郝跃张鹤鸣宣荣喜更多>>
相关机构：中国科学院株式会社半导体能源研究所西安电子科技大学国际商业机器公司更多>>
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SOI衬底和n^+衬底上SiGe HBT的研制
《电子器件》2007年第5期1529-1531,共3页姚飞 薛春来 成步文 王启明 
973课题资助(2006CB302802;2007CB613404);983课题资助(2006AA03Z415);国家自然科学基金资助(60676005;60336010)
分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT(Heterostructure Bipolar Transistor).使用晶体管图示仪测量晶体管的特性.性能测试表明,在SOI衬底上获...
关键词：Si基半导体器件 SIGE HBT SOI衬底 电极 特性曲线 直流增益β 
基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究(英文)被引量：3
《电子器件》2006年第3期609-612,共4页温殿忠 
ThisworkwassupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(6007627)
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏...
关键词：双注入 磁敏晶体管 SOI衬底 磁场测量 MEMS 
硅片键合制备SOI衬底被引量：2
《电子器件》1996年第1期1-8,共8页童勤义 
硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的...
关键词：硅片键合 SOI衬底 制备 
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