SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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浮栅结构SOILDMOS器件的模拟研究被引量：1
《半导体技术》2011年第2期108-111,123,共5页葛梅 王颖 
国家自然科学资金资助项目(60906048);黑龙江省自然科学资金资助项目(QC2009C66)
研究了一种具有浮栅结构的SOI LDMOS(FGSOI LDMOS)器件模型,并分析了该结构的耐压机理,通过Silvaco TCAD软件对该结构进行仿真优化。通过仿真验证可知,该结构通过类场板的结终端技术可以调节器件的横向电场,从而得到比普通SOI LDMOS器...
关键词：SOI结构 浮栅结构 电场调制 比导通电阻 击穿电压 
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