SOI器件

作品数：55被引量：59H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：黄如韩郑生张兴罗家俊安霞更多>>
相关机构：北京大学中国科学院微电子研究所西安电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家教育部博士点基金更多>>
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22 nm FDSOI器件的制备与背偏效应研究被引量：1
《微电子学》2019年第3期431-435,共5页李亦琨 孙亚宾 李小进 石艳玲 王玉恒 王昌锋 廖端泉 田明 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);国家科学自然基金资助项目(61574056,61704056);上海扬帆计划资助项目(YF1404700);上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800)
提出了一种基于后栅极工艺的22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件的制备方法。基于电学测试结果,分析了器件的基本性能,研究了背栅偏压对器件性能的影响。结果表明,器件的开关电流比比较高、亚阈值摆幅较小,符合产业的一般标准。背栅偏压...
关键词：全耗尽绝缘体上硅 后栅极工艺 背栅偏压 阈值电压 
模拟集成电路的发展动态被引量：1
《微电子学》1995年第2期1-4,共4页宋泰伦 
本文介绍了Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器、超高速ＳＯＩ器件及电路、超高速双极电路、ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结器件和电路、智能功率等模拟集成电路的发展概况。
关键词：模拟集成电路 SOI器件 异质结器件 智能功率IC 
SOI器件应用展望
《微电子学》1995年第1期63-64,共2页
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术本身的研究也不断加强，而最引人们关注的是氧注入硅衬底（ＳＩＭ...
关键词：绝缘体上硅 衬底 SOI器件 硅材料 
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