亚半微米

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移相掩模应用技术
《半导体技术》1999年第2期28-29,共2页贾海强 张玉清 张慕义 李岚 
一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。
关键词：亚半微米 移相掩膜 半导体集成电路 应用 
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