ZNO变阻器

作品数：10被引量：13H指数：2
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Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响
《硅酸盐通报》2013年第1期149-152,共4页杨明珠 牟海维 吕树臣 
国家自然科学基金(51101027);黑龙江省普通高等学校青年学术骨干支持计划(1252G008)
本文采用沉淀法以SnCl2.H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大;而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol%时达到极大值。通过适当的掺杂,得到了漏电流为0...
关键词：ZNO变阻器 Sn掺杂 电性能 
热处理对ZnO变阻器电学性能影响的研究
《电瓷避雷器》2009年第5期28-32,35,共6页姚政 郑嘹赢 李国荣 蔡闻捷 李玉科 
国家自然科学基金资助项目(10876041和气075218);上海市产业技术创新重大项目(07XI-023);863项目(2006AA03Z437)
采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物(MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3)的前驱超细粉体,采用固相反应烧结技术在1 140℃进行2 h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器。用SEM,XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构,伏安非线性特性和微...
关键词：氧化锌 变阻器 热处理 
提高ZnO变阻器电性能的研究被引量：2
《功能材料》2006年第11期1758-1761,1764,共5页翟维琴 姚政 金继华 祝铭 郑嘹赢 
国家自然基金(50577065)上海市科学技术委员会重点实验室产学研攻关资助项目(04dz11603)
ZnO变阻器电气性能的提高对避雷器的运行可靠性起着主要作用。本文首先采用两种新型球磨工艺制备了细化的ZnO陶瓷变阻器的添加剂。并且通过改进粘结剂和无机/有机复合侧面绝缘层配方,使ZnO变阻器的残压比、2ms方波通流、4/10μs大电流...
关键词：ZNO变阻器 残压比 高阻层 通流容量 振动磨 行星磨 
掺锡氧化锌变阻器的制备和性能研究
《哈尔滨师范大学自然科学学报》2006年第2期48-52,共5页杨明珠 吕树臣 
哈师大博士启动基金;黑龙江省教育厅科学技术研究项目(10551096)
本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电...
关键词：ZNO变阻器 掺杂SnO2 微观结构 压敏电压 
ZnO变阻器低压化研究及其在LCD中的应用
《电子器件》1998年第4期233-239,共7页李青 赵日新 张旭苹 
江苏省自然科学基金
本文阐述了ＺｎＯ变阻器在两端有源矩阵ＬＣＤ器件中的应用，指出该元件是驱动ＬＣＤ良好的非线性元件。针对ＺｎＯ变阻器阈值电压高的不足，通过改变材料配方，采用ＴｉＯ２添加剂取代传统配方中的Ｓｂ２Ｏ３添加剂，并选择合适的工艺...
关键词：阈值电压 LCD 液晶显示器件 氧化锌变阻器 
低压ZnO变阻器的研究被引量：4
《北京工业大学学报》1994年第1期111-117,共7页周亚栋 杨燕玫 
研究了掺杂物对ＺｎＯ变阻器电学性能（标称电压Ｖ１ｍＡ和非线性系数α）的影响，用双肖特基势垒模型和隧道效应解释了其微量观机制，获得了Ｖ１ｍＡ＜２０Ｖ，α＞２０的低压ＺｎＯ变阻器。
关键词：变阻器 氧化锌 双肖特基势垒 
高电压梯度的ZnO变阻器被引量：7
《压电与声光》1993年第4期27-29,共3页陈洪存 肖鸣山 吴良学 
通过超细粉碎和低温烧结工艺.制造成了具有高电压梯度的ZnO变阻器.本文简要报告高电压梯度的ZnO变阻器的制造工艺和性能.
关键词：ZNO变阻器 高电压梯度 变阻器 
一种含MgO的ZnO变阻器的电压—电流特性
《电子陶瓷译丛》1991年第2期28-30,共3页张传忠 
关键词：变阻器 氧化锌 电压 电流 性能 
ZnO变阻器的单晶界组成和性能
《无机材料学报》1991年第2期192-195,共4页孙鸿涛 邹秦 姚熹 
利用籽晶法制备了大晶粒尺寸的低压 ZnO 变阻器,借助电子微探针和机械微探针分别研究了这种 ZnO陶瓷样品的单晶界元素组成和伏安特性。发现存在3种非线性伏安特性,击穿电压分别为1.8、3.5和6.0V;对应子晶粒表面直接接触的晶界、富锑的...
关键词：氧化锌 变阻器 晶界 晶粒 陶瓷 
ZnO变阻器的导电机理
《电子陶瓷译丛》1990年第2期18-23,共6页郭秀芬 
关键词：ZNO 变阻器 导电 机理 
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