残压比

作品数：21被引量：160H指数：7
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In_(2)O_(3)掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响
《电瓷避雷器》2023年第4期58-63,共6页劳学斌 任鑫 孔安廷 江海波 钟美莲 姚政 施利毅 
上海市自然科学基金(编号:17ZR1410300)。
提出了掺杂In_(2)O_(3)对低压ZnO压敏电阻显微结构的影响及对其综合电气性能的研究。通过改变In_(2)O_(3)的用量,同时借助相关分析方法对压敏电阻的显微结构和电气性能进行综合分析。最终发现,随着In_(2)O_(3)含量的增加,低压ZnO压敏电...
关键词：低压ZNO压敏电阻 In_(2)O_(3)掺杂 残压比 正反极性 
基于Voronoi网格研究ZnO压敏电阻微观参数对其电气性能的影响被引量：1
《广东电力》2023年第1期102-113,共12页程宽 赵洪峰 
国家自然科学基金项目(51762038)。
ZnO压敏电阻是由大量ZnO晶粒和晶界组成的多晶半导体器件,其内部ZnO晶粒微观结构的几何形状和拓扑结构以及晶界的性能和电气特性分布对ZnO压敏电阻的宏观电气特性的影响非常明显。因此,基于Voronoi网格建立ZnO压敏电阻的微观结构模型和...
关键词：Voronoi网格 电压梯度 晶粒电阻率 残压比 表面态密度 
多元施主掺杂对直流ZnO压敏陶瓷结构与电气性能的影响被引量：5
《材料工程》2022年第8期153-159,共7页程宽 赵洪峰 周远翔 
国家自然科学基金资助项目(51762038)。
采用传统的陶瓷烧结工艺制备B_(2)O_(3),In_(2)O_(3),Al_(2)O_(3)多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品,考察不同掺杂比(0.1%~0.4%,摩尔分数)的B_(2)O_(3)对直流ZnO压敏陶瓷样品微观结构和电气性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微...
关键词：表面态密度 晶粒 电导率 残压比 
国内外避雷器用氧化锌电阻片的技术现状与发展趋势被引量：25
《电瓷避雷器》2021年第6期30-44,共15页王兰义 任鑫 黄海 姚政 
文章综述了中国和其他国家避雷器用氧化锌电阻片技术的现状与发展趋势。氧化锌电阻片是金属氧化物避雷器的核心部件,它的电性能决定了避雷器的电性能。电阻片的发展是随着避雷器的要求而发展的,随着避雷器向特高压、罐式小型化及特高压...
关键词：避雷器 氧化锌电阻片 高电压梯度 残压比 直流氧化锌电阻片 通流容量 
Sb_(2)O_(5)掺杂对SnO_(2)压敏电阻综合电气特性的影响被引量：4
《电瓷避雷器》2021年第4期55-61,共7页刘冬季 王雪芹 侯梦实 程宽 赵洪峰 
新疆天山青年计划(编号:2017Q016)。
金属氧化物避雷器是电力系统绝缘配合中的关键设备,避雷器的核心元件是压敏电阻。研究了一种新型的SnO_(2)压敏电阻材料。为了进一步的改善SnO_(2)压敏电阻的综合电气特性,研究了Sb_(2)O_(5)的掺杂对SnO_(2)压敏电阻的微观结构和电气特...
关键词：SnO_(2) 压敏电阻 电气特性 残压比 肖特基势垒 
不同SiO2含量对氧化锌电阻片通流性能的影响被引量：4
《材料导报》2020年第S02期52-56,共5页王博闻 方针 付志瑶 胡建平 彭永晶 
国家电网科技项目(5216A01700UD)。
氧化锌阀片由于具有优异的能量耐受性能,在电力系统防雷上得到了广泛的应用。本工作研究了SiO2含量对ZnO压敏电阻的相变、微观结构和电性能的影响。结果表明,SiO2影响ZnO晶粒生长,当SiO2含量从0.2%(摩尔分数,下同)增加到2.0%时,ZnO的晶...
关键词：氧化锌电阻片 二氧化硅 能量耐受能力 脉冲老化特性 残压比 
基于残压比的限压型电涌保护器失效预判分析被引量：1
《电器与能效管理技术》2019年第9期12-16,35,共6页宋占党 
针对氧化锌压敏电阻在8/20μs电流波冲击下的老化、劣化问题,采用8/20μs对压敏电阻多个参数进行冲击试验,进行氧化锌压敏电阻劣化的理论分析。分析得出,当压敏电压值大于其初始值±8.6%、漏电流的值大于17.2μA时,非线性系数,的值减小...
关键词：氧化锌压敏电阻 劣化 非线性系数 残压比 
氧化锌电阻片冲击电流下残压特性方程的研究被引量：9
《电瓷避雷器》2018年第4期76-81,共6页桑建平 田泽群 杨涛 张悦 
金属氧化物避雷器的冲击电流残压特性主要是由它的核心元件——氧化锌电阻片的特性决定的。本文通过研究多种典型规格的氧化锌电阻片在标准雷电及操作冲击电流下残压特性,得出了在各个电流幅值区域内,氧化锌电阻片的某一特定系数与电阻...
关键词：金属氧化物避雷器 残压特性 标准冲击电流 残压比 
瞬态抑制二极管(TVS)的试验分析与应用被引量：7
《电瓷避雷器》2016年第3期58-63,69,共7页陈云帆 周中山 张云峰 
国家自然科学基金项目(编号:41275008)
针对雷电瞬时过电压对精密电子设备的性能所带来的干扰及破坏等问题,通过对瞬态抑制二极管的原理进行分析,并对10种不同启动电压的瞬态抑制二极管进行雷电模拟冲击试验,利用示波器采集残压及通流的数据,计算瞬态抑制二极管的残压比。试...
关键词：瞬态抑制二极管 启动电压 残压 通流 残压比 
压敏电阻冲击老化过程中残压比变化的分析被引量：9
《电瓷避雷器》2014年第2期42-47,51,共7页陈璞阳 杨仲江 李祥超 王成芳 赵军 
国家自然科学基金项目(编号:41175003);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)
残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流(In)冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势...
关键词：氧化锌压敏电阻 残压比 双肖特基势垒 冲击老化 
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