低压ZNO压敏电阻

作品数：10被引量：47H指数：4
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相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
相关作者：张丛春徐政许业文周东祥龚树萍更多>>
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相关期刊：《硅酸盐通报》《压电与声光》《材料科学与工程学报》《功能材料》更多>>
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In_(2)O_(3)掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响
《电瓷避雷器》2023年第4期58-63,共6页劳学斌 任鑫 孔安廷 江海波 钟美莲 姚政 施利毅 
上海市自然科学基金(编号:17ZR1410300)。
提出了掺杂In_(2)O_(3)对低压ZnO压敏电阻显微结构的影响及对其综合电气性能的研究。通过改变In_(2)O_(3)的用量,同时借助相关分析方法对压敏电阻的显微结构和电气性能进行综合分析。最终发现,随着In_(2)O_(3)含量的增加,低压ZnO压敏电...
关键词：低压ZNO压敏电阻 In_(2)O_(3)掺杂 残压比 正反极性 
低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析被引量：3
《电瓷避雷器》2015年第5期77-81,共5页周宇 冯民学 陈璞阳 
江苏省科技支撑计划(社会发展)项目(编号:SBE201371159)
针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model(砖块模型)对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着...
关键词：ZNO压敏电阻 晶界电容 砖块模型 深能级施主 
Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响
《电子科技》2010年第7期52-54,共3页王旭明 曹全喜 惠磊 
Bi4Ti3O12在低压氧化锌压敏电阻器的烧结过程中起着重要作用。通过使用扫描电子显微镜(SEM)研究了添加Bi4Ti3O12粉体的陶瓷烧结过程。结果表明,使用纳米Bi4Ti3O12粉体的压敏电阻所获得的电压梯度更低,Zn2TiO4相的形态和分布影响压敏电...
关键词：低压ZNO压敏电阻 BI4TI3O12 晶粒长大 
锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻电性能及晶粒生长动力学研究被引量：3
《无机材料学报》2010年第2期157-162,共6页万帅 吕文中 
新世纪优秀人才支持项目(NCET-07-0329)
研究了锌硼玻璃掺杂量对低压ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.结果表明,当掺杂量x=0.1wt%时,可以得到较好综合性能的ZnO压敏电阻:E1mA=36.7V/mm,α=30.4,IL=0.1μA.并应用晶粒生长动力学唯象理论研究了锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻...
关键词：锌硼玻璃 压敏电阻 电性能 动力学指数 激活能 
降温速率对低压ZnO压敏电阻性能的影响
《建筑材料学报》2007年第1期55-58,共4页林枞 许业文 徐政 
采用低压ZnO压敏电阻配方,利用正电子湮没寿命谱(PAS)及SEM,对试样微结构进行了分析.结果表明,急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大,缺陷浓度降低.通过分析PAS参数与电性能参数的关系,对急冷能明显降低电压梯度提出了新的解释.
关键词：正电子湮没 ZNO压敏陶瓷 空位 缺陷 急冷 
低压ZnO压敏电阻中Bi_2O_3-TiO_2相变过程的研究被引量：1
《硅酸盐通报》2006年第3期58-61,67,共5页许业文 范卓维 徐政 孙丹峰 
在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明...
关键词：低压氧化锌压敏电阻 烧成温度 氧化铋 二氧化钛 晶粒晶界 
ZnO低压压敏电阻陶瓷材料研究进展被引量：11
《材料科学与工程学报》2005年第6期915-918,共4页赵鸣 王卫民 张昌松 张慧君 刘向春 田长生 
航空基金资助项目(02G53044)
本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述。最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻...
关键词：低压ZNO压敏电阻 低温烧结 配方设计 
Co2_O_3和MnCO_3掺杂对低压ZnO压敏电阻电性能的影响被引量：6
《材料科学与工程学报》2005年第4期525-528,共4页许业文 何忠伟 徐政 孙丹峰 
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能“三参数”(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素。用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验。发现...
关键词：钴和锰掺杂 低压ZNO压敏电阻 压敏电压梯度 非线性系数 漏电流 
TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响被引量：8
《压电与声光》2001年第3期195-197,共3页张丛春 周东祥 龚树萍 
研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高...
关键词：低压氧化锌压敏电阻 性能 掺杂 氧化钛 半导体器件 
低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况被引量：19
《功能材料》2001年第4期343-347,共5页张丛春 周东祥 龚树萍 
概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备 ,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题 ,并对以后的发展方向进行了展望。着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构 (...
关键词：低压压敏电阻 显微结构 晶界 老化 氧化锌陶瓷 
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