ALGAAS

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Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers
《Rare Metals》2004年第1期64-67,共4页PANJiaoqing HUANGBaibiao ZHANGXiaoyang YUEJinshun YUYongqin WEIJiyong 
Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressuremetallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth interruption and strain buffer layer wereintroduced to improve the photoluminescence (PL) perform...
关键词：AlGaAs/GaAs/InGaAs strained quantum well MOCVD strain buffer layer growthinterruption laser diodes 
Kinetic Study on Uniformity of AlGaAs Grown by MOVPE
《Rare Metals》1999年第4期264-269,共6页公延宁 莫金玑 余海生 汪乐 夏冠群 
The growth kinetic factors affecting the uniformity of AlGaAs in a horizontal atmospheric MOVPE (AP-MOVPE) reactor with a horizontal susceptor were investigated. The decrease in the growth rate of AlGaAs (R-AlGaAs) in...
关键词：KINETICS ALGAAS UNIFORMITY atmospheric metal-organic vapor phase epitaxy 
MOCVD Growth of GaAs / Al_xGa_(1-x) As Superlattices
《Rare Metals》1994年第1期13-18,共6页徐现刚 黄柏标 任红文 刘士文 蒋民华 
This paper presents metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) growth of GaAs / Al_x Ga_(1-x) Assuperlattices and their application in HEMT (high electron mobility transistor). SEED (self eletrooptic ef-fect devi...
关键词：MOCVD GaAs / AlGaAs SUPERLATTICE HEMT SEED 
MOCVD Growth of Doped GaAs/AlGaAs Quantum Heterostructures
《Rare Metals》1993年第1期25-29,共5页任红文 徐现刚 黄柏标 刘士文 蒋民华 
The influences of growth techniques of AP-MOCVD GaAs/AlGaAs silicon-doped multi-quantum wells (MQWs), heterostructure bipolar transistors (HBTs), double barrier resonant tunneling diodes(DBRTDs) on their structures an...
关键词：MOCVD Interrupted growth GaAs / AlGaAs Hetero-interface 
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