ALGAAS

作品数：193被引量：128H指数：5
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基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器被引量：1
《半导体光电》2024年第1期25-28,共4页王健 窦志鹏 李光昊 黄晓峰 于千 郝智彪 熊兵 孙长征 韩彦军 汪莱 李洪涛 甘霖 罗毅 
国家重点研发计划项目(2022YFB2803000);国家自然科学基金项目(62235005,62127814,62225405,61975093,61927811,61991443,61974080);华为-清华大学信息光电子与光学合作项目(20212001822)。
高速850 nm GaAs/AlGaAs面入射型单行载流子光电探测器(PD)是短距离光链路中的重要器件,面临着带宽和响应度之间的相互矛盾。报道了一种基于分布布拉格反射器(DBR)增强的GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器(UTC-PD)。DBR由20个周期的高/...
关键词：GAAS ALGAAS 光电探测器 单行载流子 分布布拉格反射器 850 nm波长 
采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管
《半导体光电》2018年第1期6-9,共4页陈凯轩 
对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻...
关键词：多级变速法 电流扩展层 发光二极管 金属有机化学气相外延 
基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响
《半导体光电》2004年第6期489-492,共4页周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目 (2 0 0 3CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目 (2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 )
　基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精...
关键词：热场发射扩散 能带变窄效应 Jain—Roulston模型 
AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用被引量：3
《半导体光电》2003年第5期341-343,349,共4页黄静 郭霞 渠红伟 廉鹏 朱文军 邹德恕 沈光地 
国家973计划资助项目(G20000683-3)
根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解...
关键词：VCSEL ALGAAS 氧化 
AlGaAs双异质结激光器的镜面退化
《半导体光电》1980年第1期95-95,共1页
据美《J·A·P》杂志1979年8月刊报导:日本电气公司中央研究所的 H·yonezu 和 K·E ndo 等人新近研究了没有镜面保护的A1GaAs 双异质结激光器的镜面退化机理和相应的激射特性变化。在恒定的光功率下工作时,镜面退化分为三个阶段,即第...
关键词：镜面 双异质结激光器 ALGAAS 
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