ALGAINAS

作品数：27被引量：33H指数：3
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相关作者：金锦炎马宏杨新民李同宁易新建更多>>
相关机构：中国科学院武汉邮电科学研究院华中科技大学清华大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《Chinese Physics Letters》《光子学报》《Science Bulletin》更多>>
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反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长被引量：2
《中国激光》2012年第5期53-58,共6页徐华伟 宁永强 曾玉刚 张星 张建伟 张建 张立森 
国家自然科学基金(10974012;11074247;61106047;61176045;61106068;51172225;61006054);国家自然科学基金重点项目(90923037)资助课题
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlG...
关键词：激光器 ALGAINAS 反射各向异性谱 金属有机化合物汽相沉积 
刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性被引量：1
《中国激光》2005年第8期1031-1034,共4页王健 熊兵 孙长征 郝智彪 罗毅 
国家自然科学基金(60223001;60244001;60290084);国家863计划(2001AA312190;2002AA311192);国家973计划(G2000-03-6601)资助项目。
利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础...
关键词：激光技术 刻蚀端面激光器 ALGAINAS Cl2/BCl3/CH4 感应耦合等离子体 
MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究被引量：5
《中国激光》2002年第3期193-196,共4页马宏 易新建 金锦炎 杨新民 李同宁 
国家高技术 86 3 30 7主题资助项目 (课题编号为 86 3 30 7 11 1(0 2 ) )
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱...
关键词：ALGAINAS 应变补偿量子阱 低压金属有机化学气相外延 无致冷 半导体激光器 
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