ALGAN/GANHEMT

作品数：10被引量：22H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：袁婷婷曾轩刘新宇刘果果王亮更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院微电子研究所北京工业大学更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《电子器件》《微波学报》《微电子学》更多>>
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含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第6期527-531,共5页倪金玉 董逊 周建军 孔岑 李忠辉 李亮 彭大青 张东国 陆海燕 耿习娇 
国家自然科学基金资助项目(61106130)
采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料...
关键词：硅衬底 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 过渡层 
跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT被引量：2
《固体电子学研究与进展》2004年第2期209-211,257,共4页张小玲 吕长志 谢雪松 何焱 侯英梁 冯士维 李志国 曾庆明 
介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 直流特性 
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