C-V法

作品数：14被引量：43H指数：4
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利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
《物理实验》2020年第5期1-5,共5页郑晓思 符斯列 
国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548);广东省高校特色创新项目资助(No.2018KTSCX121)。
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,...
关键词：C-V测量法 GAN基蓝光LED 多量子阱 
C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性被引量：4
《物理实验》2017年第5期1-6,共6页符斯列 王春安 蒋联娇 秦盈星 吴先球 
国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548)
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的...
关键词：C-V法 GaN基蓝光二极管 PN结特性 杂质浓度分布 
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