CL2/AR

作品数：5被引量：20H指数：3
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相关期刊：《半导体光电》《Science China(Technological Sciences)》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺被引量：7
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1335-1338,共4页刘北平 李晓良 朱海波 
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实...
关键词：干法刻蚀 感应耦合等离子体 GAN 刻蚀速率 Cl2/He CL2/AR 
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