CMOS带隙基准源

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基于PFM控制Boost型DC-DC变换器的带隙基准源
《半导体技术》2014年第10期737-742,共6页王宇星 朱波 
基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路。采用韩国Dongbu 0.35μm BCD工艺进行仿真分析并且流片成功。经过理论分析和仿真...
关键词：CMOS带隙基准源 BCD工艺 温度系数(TC) 升压型DC-DC转换器 电源抑制比(PSRR) 
改进结构的低压低功耗CMOS带隙基准源
《半导体技术》2009年第11期1140-1143,1151,共5页王鑫 李冬梅 
提出了一种低电压、低功耗、中等精度的带隙基准源,针对电阻分流结构带隙基准源在低电源电压下应用的不足作出了一定的改进,整体电路结构简单且便于调整,同时尽可能地减少了功耗。该电路采用UMC0.18μm Mixed Mode 1.8 VCMOS工艺实现。...
关键词：带隙基准源 低电压 低功耗 PTAT电流 温度系数 
新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
《半导体技术》2009年第9期919-922,共4页吴日新 戴庆元 谢芳 
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4...
关键词：CMOS带隙基准 电流微调 关断模式 
一种高精度CMOS带隙基准源的设计
《半导体技术》2007年第12期1082-1085,共4页路宁 刘章发 尉理哲 
分析了传统CMOS带隙基准源电路中三极管VBE电流随温度变化的二阶非线性效应，提出了一种对PTAT二阶温度进行补偿的方法，并在此基础上设计了一个高精度的带隙基准源电路。该电路采用SMIC 0．18μm CMOS工艺实现，具有良好的温度系数和...
关键词：带隙基准源 曲率补偿 PTAT 自偏 PSRR 温度系数 
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