CMOS低噪声放大器

作品数：74被引量：135H指数：5
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一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器
《电子器件》2010年第1期37-40,共4页康劲 孙玲玲 文进才 赵明付 章少杰 
国家自然科学基金资助(60601021);长三角科技合作项目资助(08515810103;2008C16017)
设计了一种新型的全集成的电流复用两级共源低噪声放大器,采用新型输入匹配和一个级联的级间谐振电感实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积,两个LC并联网络代替了传统的大电感。这种新型的电流复用结构更有利于输入匹配,降低噪声和功...
关键词：CMOS 输入阻抗匹配 级间匹配 电流复用 低噪声放大器 
一种新型GPS前端CMOS低噪声放大器的设计被引量：6
《电子器件》2008年第4期1177-1179,共3页彭凤雄 陈迪平 曾健平 段立业 
介绍了一种工作于GPSL1频带的新型低噪声放大器的设计方案。电路运用电流镜结构进行电流放大,并利用偏置电流复用技术减小功耗。该放大器工作在1.575GHz时,电源电压为1.5V的情况下噪声系数为1.06dB,电压增益为23dB,1dB压缩点为-17.36dBm...
关键词：CMOS低噪声放大器 电流镜 电流复用 GPS前端 
一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计被引量：1
《电子器件》2008年第3期841-844,共4页王良坤 马成炎 叶甜春 
提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺制作。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了级间耦合电容,使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向...
关键词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 耦合电容 噪声系数 全球定位系统 
1.8V 5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器被引量：1
《电子器件》2004年第1期72-74,142,共4页李竹 陈志恒 王志功 
无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单版集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5.2GHz低嗓声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益15.8dB...
关键词：CMOS工艺 低噪声放大器 集成螺旋电感 
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