CMOS集成

作品数：369被引量：446H指数：9
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应用于热电能量收集的低压自启动电路
《微电子学》2021年第3期308-313,共6页崔鹏 韦保林 梁展荣 宣艳 徐卫林 韦雪明 段吉海 
国家自然科学基金资助项目(61861009);广西自然科学基金资助项目(2017GXNSFAA198224,2018GXNSFAA138130);广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2019YCXS039,2019YCXS023)。
设计了一种两级低电压自启动电路,实现低输入电压条件下热电能量收集系统的自启动。在第一级自启动电路中引入一种新型堆叠式反相器,构成环形振荡器结构,在低供电电压下产生较大的振荡摆幅;第二级自启动电路由高幅值时钟产生电路与电感...
关键词：热电能量收集 低压自启动 升压变换器 CMOS集成电路 
一种低参考杂散高PSNR的Ⅰ型锁相环
《微电子学》2017年第5期666-669,共4页席娜 张吉利 叶棪 林福江 
国家自然科学基金资助项目(61404123)
基于GF 130nm CMOS工艺,设计了一种低参考杂散、高电源噪声抑制比(PSNR)的Ⅰ型锁相环。相较于电荷泵型锁相环,Ⅰ型锁相环存在锁定范围小、参考杂散性能差等缺点。此外,压控振荡器是对电源噪声敏感的模拟电路,电源线上的噪声会恶化振荡...
关键词：Ⅰ型锁相环 参考杂散 电源噪声 CMOS集成电路 
3GHz低杂散锁相环中的低失配电荷泵被引量：6
《微电子学》2016年第4期480-483,共4页祝军 张吉利 王子谦 刁盛锡 林福江 
中国科学技术大学信息科学实验中心EDA平台对本设计的支持;联发科公司对中国科大学生和项目的支持
基于SMIC 40nm CMOS工艺,提出了一种改进型电荷泵电路。在传统电荷泵锁相环中,电荷泵存在较大的电流失配,导致锁相环产生参考杂散,使锁相环输出噪声性能恶化。设计的电荷泵电路在电流源处引入反馈,降低了电流失配。仿真结果表明,在供电...
关键词：电荷泵 锁相环 电流失配 CMOS集成电路 
一种高精度低功耗CMOS RC振荡器被引量：16
《微电子学》2008年第5期748-751,756,共5页熊立志 王振华 殷少飞 武岳山 
一般情况下,RC振荡器利用电阻电容充放电时延产生振荡,所产生的频率受电源电压、环境温度,以及组成振荡器的各种元器件的电学特性的影响较大。文章提出一种可大大降低上述各种因素影响的高精度CMOS RC振荡器。仿真计算及实际流片测试结...
关键词：RC振荡器 CMOS集成电路 模拟集成电路 
一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器被引量：2
《微电子学》2008年第3期435-438,共4页孟新 马成炎 叶甜春 殷明 
提出了一种基于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器电路。通过环路增益和相位的分析,得出了一般晶体振荡电路的振荡性能优化条件;并通过亚阈值电流源、亚阈值MOS管反馈、电流源放大缓冲级以及电路的其他改进,进一步优化振荡电路的性能。根...
关键词：亚阈值 CMOS集成电路 晶体振荡器 环路增益 
一种新型移相驱动器的设计
《微电子学》2008年第3期431-434,共4页苏晨 吴晓明 朱冬梅 
设计了一种新型移相驱动器,它在常规移相驱动器的基础上集成了D/A转换器、积分器、比较器等多种电路。该电路具有功耗低(≤5mA),驱动能力强(驱动电流≥±30mA),可靠性高等优点,符合移相驱动器高精度、高集成度、小型化的发展方向。
关键词：移相驱动器 相控阵雷达 CMOS集成电路 
一种高性能电流调节器的设计
《微电子学》2007年第3期448-451,共4页周泽坤 陈志军 石跃 张波 
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在较大范围内工作的电流调节器。该电路通过适当地利用NMOS和PMOS差分输入对的各自特性,以及改进的差分结构,实现了工作范围的扩展和共阴极LED的驱动。该电流调节器采用的运算放大器都是一级的自补...
关键词：电流调节器 自补偿 CMOS集成电路 
一种新型CMOS T/R组件控制及驱动芯片的研制
《微电子学》2007年第1期125-128,共4页苏晨 朱冬梅 
重点介绍了一种正向设计的全定制CMOS T/R组件控制及驱动芯片,并对其工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计等进行了简要描述。该产品具有功能多,功耗低(≤20mW),开关速度快(输出上升/下降时间≤20 ns),工作频率高(最高工作频率可达...
关键词：T/R组件 CMOS集成电路 相控阵雷达 
一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源被引量：3
《微电子学》2007年第1期113-117,共5页余国义 邹雪城 
基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源。基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源。电路设计采用SMIC 0.18μm标准CMOS数字工...
关键词：电流基准源 电压调制器 亚阈值MOSFET CMOS集成电路 
CMOS集成电路中Glitch Power的分析方法研究
《微电子学》2005年第2期121-124,共4页吴凯 林争辉 
　在集成电路中器件延迟数学模型的基础上,介绍了如何利用定时布尔函数和定时有序二值决策图对集成电路GlitchPower进行分析;借助CUDD软件包,构建了电路的Timed-OBDD表达形式,对一些典型的BenchMark进行了仿真。
关键词：CMOS集成电路 功耗估计 Glitch Power定时布尔函数 定时有序二值决策图 
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