CMOS射频

作品数：58被引量：97H指数：5
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相关机构：清华大学中国科学院大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学更多>>
相关期刊：《数字技术与应用》《读写算（教师版）（素质教育论坛）》《电子学报》《集成电路应用》更多>>
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用于CMOS射频集成电路中多级放大器级间耦合的片上变压器的设计方法与模型被引量：1
《清华大学学报（自然科学版）》2011年第3期328-333,共6页李萌 余志平 
国家"九七三"重点基础研究发展计划项目(2006CB302705)
为了设计最优的级间耦合变压器以最大化多级放大器的增益,提出了一种N∶1片上变压器的版图设计方法,建立了基于物理的变压器集约等效电路模型。对于5 GHz下工作的变压器耦合两级放大器,利用该设计方法找到了最优的变压器结构参数。将三...
关键词：片上变压器 阻抗匹配 设计方法 电磁场仿真 
具有高可调增益范围的CMOS宽带中频调制器
《固体电子学研究与进展》2004年第4期510-516,524,共8页郑吉华 李永明 陈弘毅 
国家重点基础研究发展规划课题(973)(G2000036508);国家自然科学基金(No.60236020);国家863项目资助;上海清华晶芯微电子有限公司资助;美国RF集成公司资助
利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益...
关键词：CMOS射频集成电路 中频调制器 可变增益放大器 上变频混频器 
CMOS宽动态范围的可变增益放大器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第8期871-876,共6页郑吉华 李永明 陈弘毅 
国家重点基础研究专项经费资助项目(G2 0 0 0 0 3 65 0 8);上海清华晶芯微电子有限公司资助项目;美国RF集成公司资助项目~~
采用CMOS工艺 ,针对超外差结构的无线宽带接收器 ,提出了一个新结构的可变增益放大器 ,并对该放大器进行了仿真和测试 .测试和仿真结果表明 :该放大器能够工作在 5 0～ 6 0 0MHz的频率上 ,增益为 - 2 8～ 4 2dB ,最大增益的噪声系数为 7...
关键词：CMOS射频集成电路 可变增益放大器 中频解调器 
2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试被引量：11
《电子学报》2002年第9期1278-1281,共4页林敏 王海永 李永明 陈弘毅 
国家重点基础研究专项基金(NO.G2000036508)
本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端（Front-end）的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好...
关键词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声 无线通信 
CMOS射频集成电路的现状与进展被引量：10
《电子学报》2001年第2期233-238,共6页王志华 吴恩德 
国家重点基础研究发展规划项目! (G2 0 0 0 0 3650 8)
随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指...
关键词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 混频器 频率综合器 功率放大器 无线通信系统 
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