CMOS射频

作品数：58被引量：97H指数：5
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一种高隔离度低损耗CMOS射频收发开关设计方法
《电路与系统学报》2013年第2期223-227,共5页杨小峰 郝跃 
本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计...
关键词：CMOS 收发开关 LC谐振 插入损耗 隔离度 
采用多级噪声抵消技术的CMOS全差分LNA设计
《电路与系统学报》2013年第1期90-94,101,共6页姚春琦 毛陆虹 张世林 谢生 
设计了一种用于2.4GHz RFID单芯片阅读器的CMOS低噪声放大器(LNA)。该设计采用全差分共源共栅结构和新颖的多级噪声抵消技术,不仅减小了电路的噪声而且增加了系统的线性度。芯片采用标准UMC 0.18um CMOS工艺,工作电压为1.2V时,消耗电流...
关键词：低噪声放大器 噪声消除技术 线性度改善技术 CMOS射频集成电路 
四类LO信号对CMOS Gilbert混频器增益影响分析被引量：1
《电路与系统学报》2005年第2期66-70,共5页唐守龙 罗岚 陆生礼 时龙兴 
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbert混频器仿真结果表明,本文预测的电压增益理论值与仿真结果...
关键词：CMOS射频集成电路 混频器 电压转换增益 
在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析
《电路与系统学报》2002年第4期9-12,共4页郭为 黄达诠 
本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性。利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对MOSFET的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相...
关键词：CMOS 射频集成电路 设计 稳定性 MOSFET 低噪声放大器 
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