CMOS数字电路

作品数：19被引量：26H指数：2
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源端射频干扰下CMOS数字电路的时序失效机理
《微电子学》2020年第4期536-542,共7页农姗珊 杨斯媚 粟涛 
国家自然科学基金资助项目(61471402)。
当前CMOS数字芯片设计流程缺少对电路电磁抗扰性的检验。大幅电磁干扰会导致数字电路出现电路失效,但电路失效的原因以及电路失效与幅度和频率等干扰参数的关系尚不清楚。针对这一问题,详细研究了源端射频干扰下CMOS数字电路的工作状态...
关键词：数字集成电路 电磁干扰 时序收敛 失效机理 
CMOS电路的特性分析被引量：1
《电子世界》2019年第8期90-91,共2页许正磊 
当前,除了ECL电路因具有超高速性能外,其他各种类型的数字集成电路无不受到CMOS电路的挑战和冲击,一些早期应用较广泛的集成电路,如标准TTL、HTL及PMOS逐渐取代。因此了解和掌握CMOS电路的原理和应用就越来越重要了。本文重点介绍CMOS...
关键词：CMOS电路 传输特性 CMOS数字电路 数字集成电路 基本单元 ECL电路 高速性能 PMOS 
中间电平对CMOS数字电路的影响被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第6期13-16,共4页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 林建京 梁云 
很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲...
关键词：互补金属氧化物半导体 数字集成电路 中间电平 大电流 影响 
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