云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- COOLMOS

COOLMOS: 作品数：59被引量：76H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：钱钦松孙伟锋周新英赵珂游小杰更多>>; 相关机构：南昌航空工业学院东南大学苏州同冠微电子有限公司华北水利水电大学更多>>; 相关期刊：《河南科技》《集成电路应用》《电子器件》《电子设计工程》更多>>; 相关基金：国家电网公司科技项目江西省教育厅资助项目更多>>

通过栅极驱动器提高开关电源功率密度: 《变频器世界》2023年第1期45-48,共4页; 序言:像许多电子领域一样,进步持续发生。目前,在3.3kW开关电源(SMPS)中,产品效率高达98%,IU结构尺寸,其功率密度可达100W/in^(3)。这之所以可以实现是因为我们在图腾柱PFC级中明智地选择了超结(SJ)功率MOSFET(例如CoolMOS^(TM)),碳化硅...; 关键词：功率MOSFET 开关电源栅极驱动器功率开关 COOLMOS 超结功率密度 GaN

英飞凌650 V CoolMOS CFD7兼具更高效率,更高功率密度: 《世界电子元器件》2020年第10期41-41,共1页; 在工业应用SMPS的设计上,最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑,也因此触发了对650V击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)旗下650 V Cool MOS?CFD7产品系列即可满足上...; 关键词：高功率密度英飞凌科技通信电源击穿电压软切换功率器件 COOLMOS SMPS

性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600V CoolMOS S7超结MOSFET: 《半导体信息》2020年第1期8-8,共1页; 英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言,新推出的600V CoolMOSS7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改进以及高脉冲电...; 关键词：英飞凌科技 COOLMOS 低频率导通性脉冲电流功率密度质量标准性价比

英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件: 《半导体信息》2018年第5期17-18,共2页; 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS^（TM） P7系列的新成员950V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、...; 关键词：MOSFET器件 COOLMOS SMPS 股份公司智能电表低功率高密度充电器

英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件: 《中国集成电路》2018年第9期4-4,共1页; 英飞凌科技股份公司（英飞凌）近日宣布推出CoolMOS^TM P7系列的新成员950vCoolMOSP7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决...; 关键词：MOSFET器件股份公司智能电表 SMPS 能源效率散热性能生产成本充电器

英飞凌推第5代固定频率700 V/800 V CoolSET^(TM): 《电源世界》2018年第4期19-19,共1页; 近日,英飞凌科技股份公司推出了第5代固定频率700 V/800 V CoolSETTM。该解决方案将PMW控制器IC和最新700V和800V CoolMOS？ P7 MOSFET集成到一个封装中,在单一平台上就能支持隔离型和非隔离型反激式拓扑。全新的固定频率700 V/800 VCoo...; 关键词：固定频率第5代 MOSFET COOLMOS 控制器IC 电流调节器 BROWN 股份公司

COOLMOS核心专利引文分析: 《河南科技》2018年第21期45-47,共3页李介胜; 核心专利带动技术发展。本文检索了COOLMOS核心专利的引文专利数据,分析了这些专利的申请趋势、主要申请人,以英飞凌为代表进一步分析了如何在核心专利的基础上进行专利布局,借助专利稳固自身的市场地位。; 关键词：COOLMOS 核心专利外围专利引文

Applying Normally-off GaN HEMTs for Coreless High-frequency Wireless Chargers被引量：2: 《CES Transactions on Electrical Machines and Systems》2017年第4期418-427,共10页Wei Qian Xi Zhang Yongsheng Fu Juncheng Lu Hua Bai; Wide-bandgap(WBG)devices such as Gallium-Nitride(GaN)High Electron Mobility Transistors(HEMTs)have become popular in the power electronics industry as they offer a lower switching loss,higher thermal capability and hi...; 关键词：COOLMOS GaN HEMT Wide-bandgap semiconductor wireless power transfer zero voltage switching.

600V CoolMOS^(TM) CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准被引量：1: 《半导体信息》2017年第6期9-9,共1页; 凭借600V CoolMOS^（TM） CFD7,英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600V CoolMOS^（TM） CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业...; 关键词：MOSFET COOLMOS 水准性能 SMPS 股份公司电动汽车电信设备

CoolMOS在中小功率开关电源中的EMI设计: 《中国电子商情》2017年第11期39-43,共5页梁晓军; 本文简述MOSFET的EMI和它们的耦合机理,最常见的噪声源,对传输路径进行分析与改善以及反激转换器的典型波形频谱,针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间,产生电压和电流尖峰的问题,进而产生电磁干扰现象,不同的因素都能影响开关电源的电...; 关键词：中小功率开关电源设计 EMI LED照明移动设备 COOL 技术平台

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