DTMOS

作品数：9被引量：11H指数：2
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相关机构：中国科学院微电子研究所北京大学国防科学技术大学重庆邮电大学更多>>
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An ultra-low-voltage rectifier for PE energy harvesting applications被引量：2
《Journal of Semiconductors》2016年第2期126-130,共5页王静敏 杨正 朱樟明 杨银堂 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61234002,61322405,61306044,61376033);the National High-Tech Program of China(No.2013AA014103)
An ultra low voltage rectifier with high power conversion efficiency （PCE） for PE energy harvesting ap- plications is presented in this paper. This is achieved by utilizing the DTMOS which the body terminal is conne...
关键词：PE energy harvesting DTMOS input powered active rectifier 
PDSOI DTMOS for analog and RF application
《Journal of Semiconductors》2011年第5期52-56,共5页王一奇 刘梦新 毕津顺 韩郑生 
Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2006CB3027-01).
Based on the platform of 0.35μm PDSOI CMOS process technology, the partially depleted siliconon-insulator dynamic threshold voltage （PDSOI DT） NMOS with an H-gate was implemented. The analog characteristics and RF ...
关键词：SILICON-ON-INSULATOR dynamic threshold voltage analog and RF characteristics 
Study on the Characteristics of SOI DTMOS with Reverse Schottky Barriers
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1526-1530,共5页毕津顺 海潮和 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2006CB3027-01)~~
Silicon-on-insulator dynamic threshold voltage MOSFETs with TiSi2/pSi as reverse Schottky barriers （RSB） are presented. With this RSB scheme,DTMOS can operate beyond 0.7V, thus overcoming the drawback of DTMOS with ...
关键词：SOI dynamic threshold Schottky barrier 
50nmSOI-DTMOS器件的性能被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1072-1077,共6页陈国良 黄如 
国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4);国家重点基础研究专项经费 (编号 :2 0 0 0 0 36 5 0 1)资助项目~~
利用二维器件模拟软件ISE对 5 0nm沟道长度下SOI DTMOS器件性能进行了研究 ,并与常规结构的SOI器件作了比较 .结果表明 ,在 5 0nm沟长下 ,SOI DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件 .SOI DTMOS器件具有更好的亚阈值特性 ,其亚阈值泄漏电流...
关键词：50nm SOI-DTMOS器件 模拟 
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