EL2

作品数：38被引量：26H指数：3
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非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
《固体电子学研究与进展》1999年第4期428-432,共5页杨瑞霞 李光平 
河北省自然科学基金资助项目!(195051)
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。
关键词：砷化镓 碳 EL2 电参数 掺杂 半导体材料 
热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC　GaAs的均匀性被引量：2
《固体电子学研究与进展》1996年第1期68-74,共7页杨瑞霞 李光平 汝琼娜 李静 罗晋生 
对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００～１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。结果表明，６５０℃以上温度的热处理可以改善ＥＬ２分布...
关键词：EL2 热处理 淬火 位错 砷沉淀 砷化镓 
未掺杂半绝缘GaAs中受主及电中性EL2分布的研究
《固体电子学研究与进展》1994年第2期151-155,共5页杨瑞霞 李光平 
测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中总的、电中性的ＥＬ２及净受主浓度分布和碳分布。结果表明，总ＥＬ２浓度径向分布呈Ｗ形而不是均匀的，净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是Ｍ形。电中性ＥＬ２的Ｗ形径向分布由总ＥＬ２...
关键词：EL2 砷化镓 未掺杂半绝缘 电中性 
热处理改善未掺杂LEC　 GaAs中EL2分布均匀性机理的研究被引量：5
《固体电子学研究与进展》1994年第1期85-90,共6页杨瑞霞 
根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。
关键词：EL2 热处理 分布 沉淀 GAAS 
组分和热历程对LEC GaAs中深施主能级(EL2)的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》1991年第4期318-323,共6页杨瑞霞 李光平 
用红外吸收的方法测量了不同组分的原生未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度([EL2]),并用热处理后快速冷却的方法模拟晶体生长后冷却过程中的不同阶段,测量分析了各阶段[EL2]的变化.在实验结果的基础上对EL2生成过程及影响其生成的因素...
关键词：GAAS LEC 施主能级 热处理 相关性 
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