FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>
相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：4
《微电子学与计算机》2021年第12期75-79,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 闫薇薇 倪涛 高林春 罗家俊 赵发展 韩郑生 
针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体...
关键词：高温器件 超薄体FDSOI 输出电流 载流子迁移率 
28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2
《微电子学》2021年第4期577-581,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 高林春 罗家俊 韩郑生 
国家自然基金青年基金项目(61804168)。
研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和...
关键词：高温器件 阈值电压 亚阈值摆幅 超薄体FD-SOI 
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