GAASN

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：韩修训葛惟昆谭平恒罗向东董琛更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学西安电子科技大学交通大学更多>>
相关期刊：《山东半导体技术》《Chinese Physics Letters》《电子材料快报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”江苏省自然科学基金更多>>
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GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律被引量：1
《发光学报》2020年第5期603-609,共7页雷琪琪 郭旗 艾尔肯·阿不都瓦衣提 玛丽娅·黑尼 李豫东 王保顺 王涛 莫镜辉 庄玉 陈加伟 
国家自然科学基金(61534008);中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101);中科院西部之光(2017-XBQNXZ-B-004);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201705)资助。
为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表...
关键词：稀氮 光致发光 电子辐照 GAASN 退火 
Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloys
《Journal of Semiconductors》2006年第3期397-402,共6页谭平恒 罗向东 葛惟昆 徐仲英 Zhang Y Mascarenhas A Xin H P Tu C W 
国家自然科学基金(批准号:10404029,10334040,10274081) ;国家重点基础研究专项基金(批准号:G001CB3095);江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403) ;香港RGC基金(批准号:HKUST6076/02P);美国ODE基金(批准号:DE-AC36-99GO10337)资助项目~~
The transitions of E0 ,E0 ＋A0, and E＋ in dilute GaAs（1-x） Nx alloys with x = 0.10% ,0.22% ,0.36% ,and 0.62% are observed by micro-photoluminescence. Resonant Raman scattering results further confirm that they are ...
关键词：GAASN resonant Raman scattering PHOTOLUMINESCENCE bandgap isoelectronic doping 
Direct Observation of NN Pairs Transfer in GaP1-xNx （x=0.12%）被引量：1
《Chinese Physics Letters》2005年第11期2957-2959,共3页吕毅军 高玉琳 郑健生 张勇 MASCARENHAS A. 辛火平 杜武青 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 60276002.
Time-resolved photoluminescence （TRPL） was applied to investigate the transient process in GaP1-xNx （x = 0.12%） alloy. The filling, transferring and decay processes among nitrogen pairs are directly observed. The ...
关键词：NITROGEN-BOUND EXCITONS BAND-GAP ALLOYS PHOTOLUMINESCENCE DEPENDENCE TRANSITION EVOLUTION GAASN DECAY TIME 
AlAsN和GaAsN薄膜生长
《电子材料快报》1998年第3期12-13,共2页一凡 
关键词：半导体 AlAsN GAASN 薄膜 生长 
《MBEGaAs1—xSbx／GaAsn—N导质结构的Au肖特基二极管》
《山东半导体技术》1993年第3期41-44,共4页贾惠蓉 张爱卿 
关键词：肖特基势垒 二极管 异质结构 
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