GAN外延层

作品数：27被引量：34H指数：3
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三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2001年第S1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
《发光学报》2001年第S1期29-32,共4页袁海荣 陈振 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1;6 990 6 0 0 2 ) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
关键词：形貌发展 GAN外延层 
在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
《发光学报》2001年第z1期29-32,共4页袁海荣 陈振 陆大成 刘祥林 韩培德 王晓晖 汪度 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1;6 990 6 0 0 2 ) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ...
关键词：形貌发展 GAN外延层 
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)
《发光学报》2001年第z1期17-20,共4页陈振 袁海荣 陆大成 王晓晖 刘祥林 韩培德 汪度 王占国 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 86 0 0 1);国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83)~~
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流...
关键词：GAN 三甲基镓流量 缓冲层 MOVPE 
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