GAN外延层

作品数：27被引量：34H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：陆大成陈振刘祥林王晓晖汪度更多>>
相关机构：中国科学院河北工业大学太原理工大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《半导体信息》《发光学报》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>
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LED用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺被引量：7
《微纳电子技术》2014年第8期536-541,共6页刘建哲 杨新鹏 彭艳亮 曾建飞 潘安练 金良荣 
浙江省重大科技专项资助项目(2012C0131-3)
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包...
关键词：图形化蓝宝石衬底(PSS) 干法刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 发光二极管(LED) GAN外延层 光致发光(PL) 电致发光(EL) 
ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响被引量：2
《微纳电子技术》2014年第1期66-70,共5页王晓翠 杨瑞霞 王如 张嵩 任光远 
为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)...
关键词：氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) ZnO缓冲层 蓝宝石 磁控溅射 
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