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作品数：49被引量：31H指数：2
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  • 主题=硅化锗x
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亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2000年第1期62-67,共6页吴金 杨廉峰 刘其贵 夏君 魏同立 
国家自然科学基金!6980 60 0 2;江苏省自然科学基金!BK970 0 6
系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论 .
关键词：硅化锗 HBT 输运模型 物理模型 数值模拟 离散 线性化 半导体器件 
CZ法生长GeSi合金晶体
《电子材料快报》1999年第10期6-7,共2页岫林 
关键词：CZ法 生长 硅化锗 合金 晶体 
富Ge GeSi体单晶中浅受主
《电子材料快报》1999年第10期12-13,共2页苏宇欢 
关键词：锗 硅化锗 单晶 
SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究
《Journal of Semiconductors》1997年第3期169-174,共6页江宁 顾书林 余是东 郑有炓 
本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180keV，剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层．由此，...
关键词：二氧化硅 硅化锗 再结晶 
GeSi　CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型被引量：3
《电子学报》1996年第5期7-12,共6页金晓军 梁骏吾 
本文首次提出了一个用以分析ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金ＣＶＤ生长的流体力学和表面反应动力学的统一模型，利用流体力学的偏微分方程组计算了反应管内的速度场、温度场和浓度场。讨论了反应管中的质量传输对生长速度的影响和生长过程中锗和...
关键词：化学气相外延 外延生长 半导体材料 硅化锗 
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