HB-LED

作品数：25被引量：26H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：廖常俊范广涵陈景文刘鲁曹明德更多>>
相关机构：华南师范大学陕西科技大学浙江大学上海大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《电子工业专用设备》《新材料产业》《电子技术应用》更多>>
相关基金：广州市科技攻关项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术被引量：1
《中国有色金属学报》2004年第F01期381-385,共5页罗毅 邵嘉平 郭文平 韩彦军 胡卉 薛松 孙长征 郝智彪 
国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601);国家"八六三"计划资助项目(2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金资助项目(60244001)
通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(M...
关键词：氮化镓 发光二极管 外延生长 干法刻蚀 HB-LED MOVPE 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部